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隨著制造工藝的更新?lián)Q代，半導(dǎo)體的電路線寬越微細(xì)化，目前**進(jìn)的是7納米（納米為10億分之1米），5nm工藝的芯片正式生產(chǎn)也已經(jīng)提上日程。半導(dǎo)體線路越細(xì)微化性能越會(huì)提高，耗電量也將降低，但同時(shí)生產(chǎn)將會(huì)有很大的難度，如果出現(xiàn)細(xì)微的缺陷，半導(dǎo)體的電路就無法正常形成。
半導(dǎo)體制造工藝的精細(xì)化，相應(yīng)半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)難度也越困難。微米級(jí)電子半導(dǎo)體最常使用的是X-ray實(shí)時(shí)成像檢測(cè)裝備，從檢測(cè)圖像中找到缺陷位置，但由于電子元件越做越小，所以對(duì)X-ray檢測(cè)設(shè)備的分辨率和放大倍率要求很高。目前精度**的是半導(dǎo)體CT檢測(cè)設(shè)備，它與X-ray設(shè)備檢測(cè)原理相同，但CT設(shè)備的檢測(cè)精度會(huì)更高，并且它的檢測(cè)圖像是三維的，通過對(duì)被測(cè)物體進(jìn)行360度旋轉(zhuǎn)獲取成百上千張二維數(shù)字成像投影并通過特定的算法將其重建為三維體積圖像，用戶可以對(duì)三維體積進(jìn)行任意角度的觀察和切片。
X射線檢測(cè)裝備主要是檢測(cè)半導(dǎo)體接線處的焊接問題，焊接容易出現(xiàn)虛焊、漏焊等缺陷，一旦形成這些缺陷，半導(dǎo)體就容易出現(xiàn)短路等問題，為了半導(dǎo)體元件的正常使用，在焊接完成后需要進(jìn)行缺陷檢測(cè)。隨著半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展，X射線檢測(cè)裝備也在不斷研發(fā)升級(jí)，致力于為電子制造商提供優(yōu)質(zhì)的檢測(cè)裝備。
納米級(jí)芯片檢測(cè)目前X射線檢測(cè)裝備還無法達(dá)到檢測(cè)要求，但為了適應(yīng)科技的發(fā)展，各類缺陷檢測(cè)手段一定會(huì)應(yīng)運(yùn)而生，用來更好的服務(wù)產(chǎn)品和企業(yè)。
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